پاورپوینت (اسلاید) ترانزیستورهای تک الکترون

پاورپوینت (اسلاید) ترانزیستورهای تک الکترون

فرمت فایل دانلودی: .pptx
فرمت فایل اصلی: pptx
تعداد صفحات: 9
حجم فایل: 1174 کیلوبایت
قیمت: 4500 تومان

توضیحات:
پاورپوینت ارائه کلاسی رشته مهندسی برق با موضوع ترانزیستورهای تک الکترون، در حجم 9 اسلاید، همراه با تصاویر.

در این پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای تک الکترونی به زبان فارسی ذکر شده و توضیح انواع روش های ساخت آن  بیان شده است.

بخشی از متن:
ترانزیستورهای تک الکترون، بدلیل حساسیت بالای خود به بار الکتریکی، مصرف پایین برق و چگالی بالای مجتمع سازی ،کاربردهای گسترده ای پیدا کردند.
ترانزیستور تک الکترونی در حقیقت مانند یک جعبه الکترون است که دارای دو اتصال جداگانه برای ورود و خروج الکترون می‌باشد. بزرگترین مزیت ترانزیستور تک الکترونی آن است که در ابعاد بسیار کوچک (درحد نانومتر) قابل ساخت است.

فهرست مطالب:
ترانزیستورهای تک الکترون
دسته بندی کلی روش های ساخت
 انواع روش های ساخت SET
1. روش پل دولان
2. روش EBL
3. روش FIB
4. روش STM
5. روش AFM
کاربرد ترانزیستور تک الکترونی

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

پاورپیونت (اسلاید) تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستور

پاورپیونت (اسلاید) تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستور

فرمت فایل دانلودی: .pptx
فرمت فایل اصلی: pptx
تعداد صفحات: 7
حجم فایل: 468 کیلوبایت
قیمت: 3000 تومان

توضیحات:
پاورپوینت ارائه کلاسی رشته برق با موضوع بررسی تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستورها، در حجم 7 اسلاید، شامل توضیحات و تصاویر.

این فایل به بررسی ساختار تکنولوژی SOI، ویژگی های آن وکاربردهای این تکنولوژی می پردازد.

بخشی از متن:
در ویفرهای  SOI ترانزیستورها در لایه نازکی از سیلیکون که توسط لایه ای از عایق از بدنه اصلی ویفر جدا میشود، واقع شده اند.
ضخامت لایه سیلیکونی، بسته به کاربرد آن (کلید زنی الکترونیک قدرت یا میکروپروسسور) می تواند از حدود 500 انگستروم تا چندین میکرون تغییر کند.ضخامت لایه جداکننده (BOX)، می تواند تا چندین هزار انگستروم باشد.

فهرست مطالب:
ساختار  تکنولوژی SOI
ویژگی های تکنولوژی SOI
کاربردهای تکنولوژی SOI
قفل شدگی
خازن های نفوذ با SUBSTRATE
Soft Errors

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.